三星3nm芯片将于第二季度开始出厂

三言财经 4月29日消息，今日，三星电子宣布，将在本季度 (即未来几周内) 开始常用3GAE (后期3nm级栅极全能) 手工进行大规模生产。这不仅标志着专业人士首创3nm级生产商技术，也是首个常用环栅场效应晶体管 (GAAFETs) 的键值。

三星表示，该手工将实现 30% 的性能提升、50% 的低功耗减少以及高约 80% 的晶体管密度（有数范式和 SRAM 晶体管的混杂）。