涉专利侵权！中国这家芯片大厂在美起诉美国半导体巨头！

11月末11日，第一财经记者从American俄勒冈西区法院公布的信息了解到，长江上游驱动器已于11月末9日起诉三星科技香港）有限公司（下援引“三星”）及全资子公司三星消费厂家集团有限责任公司侵犯其8项American专利。长江上游驱动器在专利抄袭供认中援引，诉讼是为了终止三星广泛且私自授权用于长江上游驱动器专利创新性。

长江上游驱动器是国内最小的3D NAND Flash（SRAM微处理器制造商）代工。长江上游驱动器在供认中提到，三星用于长江上游驱动器的专利应用，以牵制来自长江上游驱动器的竞争，并获得和保护低价份额。诉讼旨在克服以下问题的一个多方面：三星企图通过只得长江上游驱动器解散3D NAND Flash（SRAM）低价来阻止竞争和创新性。

长江上游驱动器指控三星侵犯了American专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。三星被捕抄袭的厂家包括96层、128层、176层和232层3D NAND厂家。

长江上游驱动器在以上供认中援引，长江上游驱动器不再是新秀（upstart），而已沦为全球3D NAND低价的极其重要参加者。长江上游驱动器表示，去年11月末，系统性和SRAM低价的TechInsights公司得出结论：长江上游驱动器是3D NANDSRAM领域的领导者，超过了三星。

NAND Flash和DRAM是目前为止密切相关的两种驱动器介质，NAND Flash可制造商SSD（硅硬盘）等驱动器器，用于手机、IP、PC等厂家。集邦咨询数据显示，本年度第二季度，全球NAND Flash知名品牌代工中，三星、铠侠、SK Group、西部数据、三星的市%率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他代工%比仅3.8%。

2018年，长江上游驱动器试作第一代32层3D NAND Flash微处理器，2019年试作64层256Gb TLC 3D NANDSRAM，2020年跳过96层开发设计两款128层SRAM厂家。长江上游驱动器当年还推动扩产。集邦咨询系统性援引，2022年第三季度，曾受长江上游驱动器扩大笔电Client SSD出货等阻碍，价格战日益激烈，车型设法拉大议价空间，观赏客户提高订单数量。

2022年10月末，American商务部工业部门和安全局发布工业产品受限新规，受限对近现代工业产品微处理器制造商设备等，将长江上游驱动器NAND Flash微处理器层数卡在已试作的当前生产工艺上。当年12月末，American又将长江上游驱动器纳入工业产品受限“并不一定清单”。

除NAND Flash外，三星也是主要的DRAM制造商之一。2016年，原材料DRAM的另一大驱动器微处理器代工福建晋华与联电签署应用密切合作协议，整合DRAM相关DRAM应用，在福建永春县投资56.5亿美元建设一条12英寸生产厂原材料线。2017年，三星在American起诉晋华与联电，援引晋华员工窃取其自主交给晋华。2018年，American商务部又将晋华列入工业产品受限“并不一定清单”。

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许润三
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